Samsung запускает производство 40 нм памяти DDR3 DRAM с высокой плотностью

Южнокорейская компания Samsung Electronics, являющаяся одним из ведущих мировых поставщиков продуктов на основе оперативной памяти, начала производство памяти DDR3 DRAM с плотностью 4 Гбит, созданной по нормам 40 нм техпроцесса. Помимо высокой плотности, новые чипы памяти отличает способность работать на частоте до 1600 МГц при показателях напряжения в 1,5 вольта или 1,35 вольта.

Сообщается, что новые 40 нм чипы памяти DDR3 DRAM уже нашли применение в модулях RDIMM с емкостью 16 и 32 Гб, а также планках SO-DIMM на 8 Гб, выпускаемых южнокорейской корпорацией. При этом эксперты отмечают значительно возросшую энергоэффективность и вдвое более высокую плотность новой памяти по сравнению с 2 Гбит памятью DDR3, разработанной в прошлом году по нормам 40 нм технологии.

К примеру, модуль на 16 Гб, основанный на новой 4 Гбит памяти, потребляет до 35 процентов меньше энергии, чем продукт аналогичной емкости, выполненный на основе памяти DDR3 с плотностью 2 Гбит. Таким образом, новая 40 нм память DDR3 DRAM с плотностью 4 Гбит вполне подходит для применения в высококлассных ноутбуках, а также в серверных системах и дата-центрах, где энергопотребление является критически важным фактором. Отметим, что Samsung ставит своей целью перевести более 90 процентов своего производства памяти DDR DRAM на технологию 40 нм класса.